Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM28V020-SG

データシート
パッケージ
EA.
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FM28V020-SG
FM28V020-SG
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Parallel FRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    70 ns
推奨
OPN
FM28V020-SG
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-28
パッケージ名 SOIC-28 (51-85026)
包装サイズ 540
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-28
パッケージ名 SOIC-28 (51-85026)
包装サイズ 540
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM28V020-SGは256 Kbit（32K × 8）パラレルF-RAMで、28ピンSOICパッケージを採用し、65°Cで151年のデータ保持と100兆回の読み書き耐久性を実現します。2.0 V～3.6 V動作、–40°C～+85°Cの工業温度範囲、70 nsアクセス、SRAM互換、NoDelay™書き込み、低消費電力で、産業用やデータロギングなど頻繁な不揮発性メモリ更新用途に最適です。

特長

  • 256 Kbit不揮発性F-RAMメモリ
  • 32K × 8パラレル構成
  • 65°Cで151年データ保持
  • 100兆回の読書/書込耐久性
  • NoDelay™即時書込
  • SRAM互換ピン配置
  • 70nsアクセス、140nsサイクル
  • 低消費電力：5mA動作、90µA待機
  • VDD動作範囲2.0 V～3.6 V
  • 未アクセス時バスは高インピーダンス
  • ページモード高速アクセス
  • 単一チップ信頼性、電池不要

利点

  • 電源断でも長期データ保持
  • 書込耐久性ほぼ無限
  • 書込遅延ゼロで即保存
  • SRAM置換で設計が容易
  • 高速アクセスで性能向上
  • 低消費電力で省エネ
  • 一般的な電圧範囲で動作
  • バス高インピで電力変動抑制
  • ページモードで連続アクセス高速
  • 電池不要で保守軽減
  • 過酷環境でも高信頼
  • 再設計不要で手間削減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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