Active and preferred
RoHS準拠

FM25V10-DGTR

データシート
パッケージ

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FM25V10-DGTR
FM25V10-DGTR
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    1 MBit
  • インターフェース
    SPI
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    128K x 8
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FM25V10-DGTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-USON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-USON-8
パッケージ名 DFN-8 (001-85579)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
FM25V10-DGTRは1Mビット（128K × 8）シリアルF-RAMメモリで、SPIインターフェース、100兆回（10¹⁴）の読書き耐久性、65°Cで151年のデータ保持を実現。2.0 V～3.6 V動作、最大40 MHz、低動作電流（1 MHz時300 μA）、待機電流（標準90 μA）、スリープ電流（5 μA）。8ピンDFNパッケージ、–40°C～+85°C対応、高度な書き込み保護を備え、工業用途の頻繁な不揮発性書き込みに最適です。

特長

  • 1Mビット不揮発F-RAM、128K×8構成
  • 100兆回の読書き耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™バス即時書き込み
  • SPIインターフェース最大40 MHz
  • 低消費電力：1 MHz時0.3 mA、スリープ5 μA
  • 広VDD：2.0 V～3.6 V
  • 工業温度：–40°C～+85°C
  • ハード/ソフト書き込み保護
  • デバイス・一意シリアル番号選択
  • シリアルフラッシュ/EEPROM代替
  • 高信頼性強誘電体プロセス

利点

  • 頻繁・高速書き込みに信頼保存
  • 書き込み遅延ゼロで高速化
  • フラッシュ/EEPROM超える耐久性
  • 151年保持で長期データ安全
  • 低消費で電池・システム長寿命
  • SPI 40 MHzで高速データ転送
  • 標準SPIコントローラと容易統合
  • 書き込み保護で誤消去防止
  • 一意IDで安全認証対応
  • 置換で設計移行が容易
  • 過酷な工業環境で動作
  • 高信頼で保守コスト低減

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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