Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25V01A-GTR

EA.
在庫あり

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FM25V01A-GTR
FM25V01A-GTR
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    128 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    2 V to 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    16Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM25V01A-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
FM25V01A-GTRは128-Kbit(16K × 8)シリアル鉄電ランダムアクセスメモリ(F-RAM)で、高速SPIインターフェースにより最大40 MHzクロックに対応します。10^14回の読み書き耐久性と65°Cで151年のデータ保持を実現します。動作電圧2.0 V~3.6 V、温度範囲-40°C~+85°C、高度な書き込み保護、低消費電力。RoHS準拠、8ピンSOICパッケージ採用で、シリアルフラッシュやEEPROMの直接置換が可能、産業用や制御用途に適しています。

機能

  • 128 Kbit不揮発F-RAM、16K×8構成
  • 100兆回の読書/書込耐久性
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書込
  • 最大40 MHz SPIバス
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト書込保護
  • 2.5 mA動作、150 μA待機、8 μAスリープ
  • 低電圧2.0 V~3.6 V
  • 工業温度–40°C~+85°C
  • 一意のデバイスID
  • バス速度で高速読書/書込

利点

  • 頻繁な信頼性データ記録
  • 即時書込でデータ損失防止
  • EEPROM/フラッシュ置換で設計容易
  • 動作・待機時の消費電力低減
  • 低電圧でバッテリ駆動に最適
  • 工業環境で高信頼動作
  • 多重書込保護でデータ安全
  • 高速SPIでシステム性能向上
  • フラッシュ等の摩耗問題なし
  • 一意IDで機器管理容易
  • 書込遅延なしでリアルタイム対応
  • 長期保持で保守負担軽減

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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