Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM25L16B-GTR

High-Density 16 kBit SPI F-RAM with Industrial Qualification and Wide Operating Range
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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FM25L16B-GTR
FM25L16B-GTR
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ)
    2.7 V to 3.6 V
  • 動作電圧
    2.7 V to 3.6 V
  • 周波数
    20 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM25L16B-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The FM25L16B-GTR is a high-performance 16 Kbit F-RAM, offering 151-year data retention and high write endurance. It provides reliable, high-speed performance, making it ideal for applications requiring frequent or rapid writes, such as data collection and demanding industrial controls.

機能

  • 16 Kbit F-RAM logically organized as 2K × 8
  • High-endurance 100 trillion (1014) read/writes
  • 151-year data retention
  • NoDelay™ writes
  • Advanced high-reliability ferroelectric process
  • Very fast serial peripheral interface (SPI)
  • Up to 20 MHz frequency
  • Sophisticated write protection scheme
  • Low power consumption
  • Low-voltage operation: VDD = 2.7 V to 3.6 V
  • Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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