FM24VN10-GTR
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

FM24VN10-GTR

データシート
パッケージ

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FM24VN10-GTR
FM24VN10-GTR
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Frequency
    3.4 MHz
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    1 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2 V～3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    128Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推奨
OPN
FM24VN10-GTR
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
FM24VN10-GTRは1-Mbit（128K × 8）シリアルI2C強誘電体RAM（F-RAM）で、100兆回（1e14）の読み書き耐久性と65°Cで151年のデータ保持を実現。2.0 V～3.6 V動作、最大3.4 MHzのI2C対応、低動作（100 kHz時175 μA）、待機（標準90 μA）、スリープ（標準5 μA）電流を特長とします。8バイトのユニークなシリアル番号を搭載し、データロギングや産業制御など頻繁な不揮発性書き込み用途に最適です。

特長

  • 1-Mbit (128K × 8) F-RAMメモリ
  • 100兆回の読み書き耐久性
  • 65°Cで151年のデータ保持
  • NoDelay™即時書き込み技術
  • I2Cインターフェース最大3.4 MHz
  • 100 kHz/400 kHz/1 MHz/3.4MHz対応
  • 100kHz時175μA動作電流
  • 5μAスリープ電流
  • 2.0 V～3.6V低電圧動作
  • 工業用温度–40°C～+85°C
  • デバイスIDと一意シリアル番号
  • I2C EEPROMと互換

利点

  • 頻繁で高速なデータ記録に最適
  • 書き込み遅延なしで高速化
  • 長期間信頼できるデータ保持
  • 動作時の消費電力を削減
  • スリープで電池寿命延長
  • 多様なI2Cバス速度に対応
  • 過酷な環境下でも動作
  • I2C EEPROMから簡単移行
  • システム識別・追跡が容易
  • 書き込み後のポーリング不要
  • EEPROMよりシステム負担軽減
  • 多書き込み用途に最適

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ