Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM24CL64B-G

High-Density 64 kBit I²C F-RAM Memory device | 1MHz, -40 to 85°C, Pure Sn Finish
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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FM24CL64B-G
FM24CL64B-G
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    64 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
FM24CL64B-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM24CL64B-Gは64 Kbit自動車用F-RAMで、高耐久I2Cインターフェースを備え、最大10兆回の読書きサイクルと121年のデータ保持を実現します。動作電圧は3.0 V～3.6 V、温度範囲は–40°C～+125°C、NoDelay™によるバス速度書き込み、低消費電力、シリアルEEPROMの直接置換が可能です。AEC-Q100 Grade 1およびRoHS準拠で、頻繁な書き込みが必要なデータロギングや産業制御用途に最適です。

特長

  • 64 Kbit強誘電体RAM
  • 8 K×8論理構成
  • 10^13回の読書/書込耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™即時書込技術
  • I2CシリアルIF最大1 MHz
  • 100 kHz時120 μA低動作電流
  • 85°Cで6 μA低スタンバイ電流
  • VDD動作3.0 V～3.6 V
  • –40°C～+125°Cデータ保護
  • 書込保護ピン（WP）
  • シリアルEEPROMと互換

利点

  • 頻繁な書込に信頼性の高い不揮発性
  • 書込遅延なしで即時更新
  • 10^13回で長寿命化
  • 121年保持でデータ安全
  • 低消費電力で省エネ
  • I2C 1 MHzで高速通信
  • 広温度範囲で過酷環境対応
  • 互換性で簡単アップグレード
  • 書込保護で誤操作防止
  • 書込後のデータ確認不要
  • 高耐久性で保守負担軽減
  • 電圧範囲で安定動作

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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