Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FM24C16B-G

EA.
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FM24C16B-G
FM24C16B-G
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ~ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ~ 5.5 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
OPN
FM24C16B-G
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
FM24C16B-Gは16 Kbit(2K × 8)不揮発性F-RAMメモリで、I2Cインターフェースを採用し、1京回の読み書きサイクルと151年のデータ保持に対応します。4.5 V~5.5 V動作、–40°C~+85°Cの工業用温度範囲、低動作電流(100 μA@100 kHz)と4 μA(標準)スタンバイ電流を備えています。8ピンSOICパッケージはRoHS準拠で、データロギングや産業用制御、頻繁または高速な書き込み用途に最適です。

特長

  • 16-Kbit F-RAM(2K × 8構成)
  • 100兆回の読書き耐久
  • 65°Cで151年データ保持
  • NoDelay™即時書き込み
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • 動作電流100 μA(100 kHz)
  • 待機電流4 μA(標準)
  • VDD範囲4.5 V~5.5 V
  • 工業温度–40°C~+85°C
  • 書き込み保護ピン搭載
  • ESD耐性2 kV(HBM)、500 V(CDM)
  • ラッチアップ電流>140 mA

利点

  • 頻繁・高速なデータ記録に最適
  • 書き込み遅延ゼロでリアルタイム
  • 100年以上の信頼性
  • I2C EEPROMと互換
  • 低消費電力で動作
  • 待機時の電力消費を抑制
  • 過酷な環境でも動作
  • 誤書きからデータ保護
  • 高ESD/ラッチアップ耐性
  • 100/400 kHz I2C対応
  • 書き込み後のポーリング不要
  • 長寿命用途に最適

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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