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FF800R17KP4_B2

1700 V, 800 A dual IGBT module

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FF800R17KP4_B2
FF800R17KP4_B2

Product details

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • IC max
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.9 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • Configuration
    Dual
  • Housing
    IHM
  • Dimensions (length)
    130 mm
  • Dimensions (width)
    140 mm
  • Technology
    IGBT4 - P4
  • Features
    Enlarged Diode
  • Qualification
    Industrial, Traction
  • Voltage Class max
    1700 V
OPN
FF800R17KP4B2NOSA2
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ A-IHM130
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2
包装形態 TRAY
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ A-IHM130
パッケージ名 -
包装サイズ 2
包装形態 TRAY
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IHM-A 1700 V , 800 A 130 mm dual IGBT Module with IGBT4, enlarged diode and AlSiC base-plate.

機能

  • Low VCEsat
  • Enlarged diode for regen. operation
  • 4 kV AC 1min insulation
  • AlSiC base plate
  • Increas. thermal cycling capability
  • UL recognised
  • High power & thermal cycling capab.

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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