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FF800R17KP4_B2
生産終了
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FF800R17KP4_B2

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1700 V, 800 A dual IGBT module
データシート

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FF800R17KP4_B2
FF800R17KP4_B2
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製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • IC (最大)
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.9 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • コンフィギュレーション
    Dual
  • パッケージ
    IHM
  • 寸法 (length)
    130 mm
  • 寸法 (width)
    140 mm
  • 技術
    IGBT4 - P4
  • 特長
    Enlarged Diode
  • 認定
    Industrial, Traction
  • 電圧クラス (最大)
    1700 V

OPN
FF800R17KP4B2NOSA2
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ A-IHM130
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
組立国
HU
ウェハ製造国
MY

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ A-IHM130
パッケージ名 -
梱包サイズ 2
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
HU
ウェハ製造国
MY
IHM-A 1700 V , 800 A 130 mm dual IGBT Module with IGBT4, enlarged diode and AlSiC base-plate.

特長

  • Low VCEsat
  • Enlarged diode for regen. operation
  • 4 kV AC 1min insulation
  • AlSiC base plate
  • Increas. thermal cycling capability
  • UL recognised
  • High power & thermal cycling capab.
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ