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FF1000R17IE4D_B2

1700 V, 1000 A dual IGBT module
データシート

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FF1000R17IE4D_B2
FF1000R17IE4D_B2
データシート

Product details

  • IC(nom) / IF(nom)
    1000 A
  • IC max
    1000 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    PrimePACK™ 3
  • 寸法 (length)
    250 mm
  • 寸法 (width)
    89 mm
  • 技術
    IGBT4 - E4
  • 特長
    Enlarged Diode
  • 認定
    Industrial, Traction
  • 電圧クラス max
    1700 V
推奨
OPN
FF1000R17IE4DB2BOSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-PRIME3
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-PRIME3
パッケージ名 -
包装サイズ 2
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
PrimePACK™ 3 1700 V, 1000 A half-bridge dual IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 diode, NTC and fast switching chip especially developed for Traction applications .

機能

  • Extended operation temp. Tvj op
  • High DC stability
  • High current density
  • Low switching losses
  • Tvj op = 150°C
  • Low VCEsat
  • Package with CTI > 400
  • High creepage & clearance distances
  • High power & thermal cycling capab.
  • Copper base plate
  • UL recognized

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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