Active and preferred
RoHS準拠

FF1000R17IE4D_B2

1700 V、1000 AハーフブリッジIGBTモジュール
データシート

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FF1000R17IE4D_B2
FF1000R17IE4D_B2
データシート

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    1000 A
  • IC (最大)
    1000 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    PrimePACK™ 3
  • 寸法 (length)
    250 mm
  • 寸法 (width)
    89 mm
  • 技術
    IGBT4 - E4
  • 特長
    Enlarged Diode
  • 認定
    Industrial, Traction
  • 電圧クラス (最大)
    1700 V
推奨
OPN
FF1000R17IE4DB2BOSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-PRIME3
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-PRIME3
パッケージ名 -
包装サイズ 2
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
PrimePACK™ 3 1700 V、1000 AハーフブリッジIGBTモジュール、TRENCHSTOP™ IGBT4、エミッター制御4ダイオード、NTC、および牽引 (トラクション) 用途向けに特別に開発された高速スイッチング チップを搭載。

特長

  • 拡張動作温度Tvj op
  • 高いDC安定性
  • 高い電流密度
  • 低スイッチング損失
  • Tvj op= 150 ℃
  • 低VCEsat
  • CTI > 400のパッケージ
  • 高い沿面距離および空間距離 (クリアランス)
  • 高い電力および熱サイクル耐性
  • 銅ベースプレート
  • UL認証

ドキュメント

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デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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