Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

FF800R12KE7_E

1200 V, 800 A common emitter IGBT module
データシート
EA.
在庫あり

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FF800R12KE7_E
FF800R12KE7_E
EA.
データシート

Product details

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • IC max
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • コンフィギュレーション
    Common Emitter
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 技術
    IGBT7 - E7
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス max
    1200 V
推奨
OPN
FF800R12KE7EHPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
包装サイズ 10
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
包装サイズ 10
包装形態 TRAY
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
62 mm 1200 V, 800 A common emitter low sat & fast trench IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7 and emitter controlled diode.

機能

  • Highest power density
  • Best-in-class VCEsat
  • Tvj op = 175°C overload
  • High creepage & clearance distances
  • Isolated base plate
  • Standard housing
  • RoHS compliant
  • 4 kV AC 1 min insulation
  • Package with CTI > 400
  • UL/CSA certif. with UL1557 E83336

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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