FF3MR12KM1H_S
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

FF3MR12KM1H_S

62 mm CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール、1200 V、共通ソーストポロジー

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FF3MR12KM1H_S
FF3MR12KM1H_S


製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    2.9 mΩ
  • アプリケーション
    SSCB, UPS, Solar, EV Charger, ESS
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 特長
    Common Source
  • 発売年
    2025
  • 認定
    Industrial

OPN
FF3MR12KM1HSHPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
HU
ウェハ製造国
AT
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
HU
ウェハ製造国
AT
定評のある62 mmハウジングにM1Hチップ技術を組み合わせた、62 mm CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール (1200V、3mΩ RDS (on) ) 。共通ソース構成でも利用可能になりました

特長

  • 堅牢な一体型ボディダイオードにより、最適な熱条件を実現
  • 湿度に対する最高の耐性
  • 優れたゲート酸化膜の信頼性
  • 宇宙線に対する高い耐性
  • 共通ソース構成

利点

  • Optimized use under demanding conditions
  • Lower voltage overshoot
  • Minimized conduction losses
  • High speed switching with very low losses
  • Symmetrical module design and switching behavior of upper and lower switch
  • Standard module construction technique secures known reliable
  • Production in the 62mm high volume production line

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ