FF200R12KS4
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

FF200R12KS4

1200 V、200 AハーフブリッジIGBTモジュール
個.
在庫あり

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FF200R12KS4
FF200R12KS4
個.

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • IC (最大)
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    3.2 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    62 mm
  • 寸法 (length)
    106.4 mm
  • 寸法 (width)
    61.4 mm
  • 技術
    IGBT2 Fast
  • 特長
    Fast short tail IGBT chip
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V
OPN
FF200R12KS4HOSA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-62MMHB
パッケージ名 -
梱包サイズ 10
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
お客様の設計に最適な、高周波スイッチング用の高速IGBT2を搭載した、62 mm、1200 V、200 AハーフブリッジIGBTモジュール熱伝導材料を使用したタイプもご用意しております。

特長

  • 高い短絡耐性
  • 自己制限短絡電流
  • 低スイッチング損失
  • 比類のない堅牢性
  • 正の温度での係数VCEsat
  • CTI > 400のパッケージ
  • 高い沿面距離および空間距離 (クリアランス)
  • 絶縁ベースプレート
  • 銅ベースプレート
  • 標準パッケージ
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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