FF2000R17T2P8Q
新規
Active and preferred
RoHS対応

FF2000R17T2P8Q

新規
1700 V, 2000 A half-bridge IGBT module, TIM 2.0

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FF2000R17T2P8Q
FF2000R17T2P8Q


製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    2000 A
  • IC (最大)
    2000 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.95 V
  • コンフィギュレーション
    half-bridge
  • パッケージ
    XHP™ 2
  • 寸法 (length)
    140 mm
  • 寸法 (width)
    99.8 mm
  • 技術
    IGBT8 - P8
  • 特長
    TIM 2.0
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス (最大)
    1700 V

推奨
OPN
FF2000R17T2P8QBPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-XHP2K17
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 4
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
組立国
DE
ウェハ製造国
DE,MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-XHP2K17
パッケージ名 -
梱包サイズ 4
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
DE
ウェハ製造国
DE,MY
XHP™ 2 1700 V, 2000 A half-bridge IGBT module with improved chipset, high power density and improved thermal management, and with pre-applied TIM2.0.

特長

  • symmetrical module design
  • low-inductive housing
  • low gate charge for improved paralleling
  • high performance ceramic
  • cont. operating temperature @Tvj=175°C
  • pre-applied TIM 2.0

利点

  • High power density
  • Improved thermal performance
  • Energy efficiency
  • Low switching and conduction losses
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ