F3L8MR12W2M1HP_B11
Active and preferred
RoHS対応

F3L8MR12W2M1HP_B11

3-Level 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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F3L8MR12W2M1HP_B11
F3L8MR12W2M1HP_B11
個.
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    8.1 mΩ
  • アプリケーション
    Solar, UPS, SST, ESS, EV Charger
  • コンフィギュレーション
    3-Level
  • パッケージ
    Easy 2B
  • 寸法 (width)
    48 mm
  • 寸法 (length)
    56.7 mm
  • 特長
    PressFIT, TIM
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
AG-EASY2B
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 18
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
AG-EASY2B
パッケージ名 -
梱包サイズ 18
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
EasyPACK™ 2B 1200 V / 8 mΩ 3-Level module with CoolSiC™ MOSFET with enhanced generation 1, integrated NTC temperature sensor, pre-applied thermal interface material and PressFIT Contact Technology .

特長

  • Best-in-class package: 12 mm height
  • Easy module packages
  • Very low module stray inductance
  • Low and equal gate inductances
  • Symmetrical internal chip layouts
  • Wide RBSOA
  • 1200 V CoolSiC™ MOSFET
  • Gate drive vol.: +15…+18 V & 0…-5 V
  • Max. gate-source v.: +23 V & -10 V
  • Tvjop under overload condi. < 175°C
  • PressFIT pins
  • Thermal interface material
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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