DD1200S45KL3_B5
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DD1200S45KL3_B5

4500 V, 1200 A diodes IGBT module

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DD1200S45KL3_B5
DD1200S45KL3_B5


製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • IC (最大)
    1200 A
  • VCES / VRRM
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.5 V
  • コンフィギュレーション
    Diodes
  • パッケージ
    IHV
  • 寸法 (width)
    140 mm
  • 寸法 (length)
    130 mm
  • 技術
    Diode
  • 特長
    10.4 kV isolation
  • 認定
    Industrial, Traction
  • 電圧クラス (最大)
    4500 V

推奨
OPN
DD1200S45KL3B5NOSA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ A-IHV130
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
組立国
HU
ウェハ製造国
MY

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ A-IHV130
パッケージ名 -
梱包サイズ 2
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
HU
ウェハ製造国
MY
IHV 4500 V , 1200 A 130 mm Diode Module with EC3 - Diode, predestined to be combined with IGBT products (e.g. FZ1200R45KL3_B5 or FZ800R45KL3_B5 ).

特長

  • High DC stability
  • High surge current capability
  • Extended storage temperature
  • * down to T(stg) = -55°C
  • Package with CTI > 600
  • Package insulation 10.4 kV AC 1min
  • High creepage & clearance distances
  • AlSiC base plate with AlN substrate
  • for increased Thermal cycling
  • Fire & smoke EN45545 R22, R23 : HL3
  • Dual Diode

利点

  • Standardized housing: 130x140x48 mm
  • decades of field experience
  • Long service life
  • Tough against overloads & faults
  • Low FIT Rate
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ