DD1200S17H4_B2
Active and preferred
RoHS対応

DD1200S17H4_B2

1700 V, 1200 A diodes IGBT module

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DD1200S17H4_B2
DD1200S17H4_B2

製品仕様情報

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • IC (最大)
    1200 A
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • コンフィギュレーション
    Diodes
  • パッケージ
    IHM B
  • 寸法 (width)
    140 mm
  • 寸法 (length)
    130 mm
  • 技術
    Diode
  • 特長
    200% PC
  • 認定
    Industrial, Traction
  • 電圧クラス (最大)
    1700 V
OPN
DD1200S17H4B2BOSA2
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-IHMB130
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-IHMB130
パッケージ名 -
梱包サイズ 2
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
1700 V IHMB 130mm Diode Module with AlSiC base-plate and Emitter Controlled 4 - Diode - The best solution for your traction and industry applications. Predestined to be combined with IGBT4 products .

特長

  • Tvj op = 150°C
  • Robust module construction
  • Enlarged diode for regen. operation
  • UL recognised
  • High reliability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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