新規
Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CYEL15B256J-SXE

新規
耐放射線性、高信頼性、256 Kb不揮発性シリアル (I2C) F-RAM (新宇宙向け)
データシート
パッケージ

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CYEL15B256J-SXE
CYEL15B256J-SXE
データシート

製品仕様情報

  • インターフェース
    I2C
  • パッケージ
    PG-SOIC-8
  • ファミリー
    F-RAM
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    32 K x 8
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
CYEL15B256JSXEXLSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 97
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 97
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
当社の耐放射線性256 Kb強誘電体RAM (F-RAM) は、業界で最も低消費電力の不揮発性メモリソリューションの一つであり、50 Krad (Si) TIDまでの耐放射線性能と、事実上無制限の耐久性を保証しています。インフィニオンの瞬時不揮発性書き込み技術と121年間のデータ保持能力は、新たな宇宙用途において最高の信頼性を提供します。

特長

  • 256 Kb密度 (32K x 8構成)
  • 10兆回の読み書きに対応する高い耐久性
  • 121年間のデータ保持
  • 高速2線式シリアルインターフェース (I2C)
  • 低消費電力
  • -40℃～+125℃の自動車グレードの温度
  • 8ピンSOICパッケージ
  • 50クラッド (Si) TIDを保証
  • 低電圧動作: VDD (2.0V～3.6V)

利点

  • ROHS指令準拠
  • 50クラッド (Si) TID放射パフォーマンス
  • シングルロット日付コード (SLDC)
  • 電気検査の網羅率100%
  • 適合証明書 (CoC)

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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