CY7C4141KV13-633FCXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C4141KV13-633FCXI

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CY7C4141KV13-633FCXI
CY7C4141KV13-633FCXI

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • Density
    144 MBit
  • ECC
    Y
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    Y
  • アーキテクチャ
    QDR-IV
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    2
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-IV
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.26 V~1.34 V
  • 周波数
    667 MHz
  • 組織 (X x Y)
    4Mb x 36
  • 認定
    Commercial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    5
OPN
CY7C4141KV13-633FCXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FCBGA-361 (001-70319)
梱包サイズ 120
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FCBGA-361 (001-70319)
梱包サイズ 120
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C4141KV13-633FCXIは144 MbitのQDR-IV HP SRAM(4M × 36)で、独立した2つの双方向DDRデータポートと、共通のDDRアドレスバス(制御はSDR)を備えます。1266 MT/s(最大633 MHz)、2ワードバースト、オンダイ終端ODTに対応し、ECCで単一ビット誤りを訂正(SER < 0.01 FIT/Mb)。コア電源は1.3 V ±40 mV、POD I/OのVDDQは1.1 Vまたは1.2 Vです。

特長

  • 144 Mbit QDR-IV HP SRAM
  • 総レート1334 MT/s
  • 最大動作周波数667 MHz
  • 読出しレイテンシ5クロック
  • 書込みレイテンシ3クロック
  • 全アクセス2ワードバースト
  • 双方向DDRデータポート2系統
  • 両ポートで同時R/W可能
  • DDRアドレス+SDR制御信号
  • POD/HSTL/SSTL対応(JESD)
  • オンダイ終端ODT(可変)
  • ECC+バス反転+アドレスパリティ

利点

  • 144 Mbitで外部メモリを削減
  • 1334 MT/sでスループット向上
  • 667 MHzで高速クロックに対応
  • 読出し5周期で待ち時間を削減
  • 書込み3周期で低レイテンシ
  • 2ワードバーストで効率向上
  • 2ポートで並列処理を強化
  • 同時アクセスで停滞を低減
  • DDRアドレスで高RTRを実現
  • JESD準拠で基板設計が容易
  • ODTでSI設計を簡素化
  • ECC/パリティでデータ保護

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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