CY7C25632KV18-400BZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C25632KV18-400BZXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY7C25632KV18-400BZXI
CY7C25632KV18-400BZXI
個.
データシート


製品仕様情報

  • Frequency
    400 MHz
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    QDR-II+, ODT
  • メモリ容量
    72 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 組織 (X x Y)
    4M x 18
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
CY7C25632KV18-400BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-165
パッケージ名 FBGA-165 (51-85180)
梱包サイズ 272
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
個.
在庫あり
CY7C25632KV18-400BZXIは72-Mbit QDR II+同期パイプラインSRAMで、4M × 18構成の独立した読出し/書込みDDRポートにより同時トランザクションに対応します。400 MHzクロック、最大800 MT/s、読出しレイテンシ2.5サイクル。VDD 1.7～1.9 V、VDDQ 1.4 V～VDDで動作し、ODT、PLL、JTAGを内蔵。165ボールFBGA、-40～+85°Cの産業温度範囲です。

特長

  • 550 MHz動作(DDR 1100 MHz)
  • 独立した読出/書込データ
  • 読出/書込の同時取引対応
  • 4ワードバースト構成
  • DOFF高:2.5サイクル読出
  • DOFF低:1サイクル読出
  • 2入力クロックKとK
  • エコークロックCQ/CQ
  • QVLDで読出データ有効表示
  • D/BWS/KにODT内蔵
  • PLLは120 MHzまで動作
  • コアVDD 1.7 V～1.9 V

利点

  • DSP/ASIC向けに高帯域
  • データバス反転待ち不要
  • 読出と書込を並列化
  • アドレスバス周波数低減
  • 2.5サイクルで読出一定
  • 1サイクルで低レイテンシ
  • K/KでDDRタイミング簡素化
  • 高速データ取り込み容易
  • QVLDでタイミング調整削減
  • ODTで終端抵抗BOM削減
  • PLLでデータ配置マージン向上
  • 1.8 V動作で消費電力を低減

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ