CY7C1470BV33-200BZXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1470BV33-200BZXI

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CY7C1470BV33-200BZXI
CY7C1470BV33-200BZXI

製品仕様情報

  • Density
    72 MBit
  • ECC
    N
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    NoBL, Pipeline
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    NoBL
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 範囲
    3.14 V~3.63 V
  • 周波数
    200 MHz
  • 組織 (X x Y)
    2Mb x 36
  • 認定
    Industrial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    1
OPN
CY7C1470BV33-200BZXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85165)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-165 (51-85165)
梱包サイズ 105
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY7C1470BV33-200BZXIは72 Mbitの同期パイプライン・バーストSRAM(2M × 36)で、No Bus Latency(NoBL)ロジックにより真の連続Read/Writeをゼロ・ウェイトで実行し、各クロックでデータ転送が可能です。200 MHz動作、単一3.3 Vコア電源(3.135 V~3.6 V)、2.5 V/3.3 VのI/O電源に対応します。IEEE 1149.1 JTAG互換で、-40°C~+85°C産業温度の165ボールPb-free FBGAです。

特長

  • 72-MbitSRAM
  • NoBL(No Bus Latency)
  • 250 MHz
  • /
  • BWx
  • VDD 3.135 V 3.6 V
  • VDDQ: 2.5 V 3.3 V
  • 250 MHztCO 3.0 ns
  • ZZ
  • IEEE 1149.1 JTAG
  • SER: 361 FIT/Mb(25C)

利点

  • ZBT
  • 2.5/3.3 V
  • 3.0 ns tCO
  • JTAG

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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