CY7C1373KV33-100AXC
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY7C1373KV33-100AXC

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CY7C1373KV33-100AXC
CY7C1373KV33-100AXC


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2031
  • ECC
    N
  • Frequency
    100 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    NoBL, Flow-through
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 18
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    4
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    NoBL
  • メモリ容量
    18 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    0 °C~70 °C
  • 動作電圧 範囲
    3.135 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1Mb x 18
  • 認定
    Commercial
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    1

OPN
CY7C1373KV33-100AXC
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TQFP-100 (51-85050)
梱包サイズ 360
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2031
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TQFP-100 (51-85050)
梱包サイズ 360
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2031
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY7C1373KV33-100AXCは18 Mbit(1M×18)の同期フロースルー・バーストSRAMで、NoBLアーキテクチャとオンチップECCを内蔵します。100 MHz動作、入力レジスタ、バイト書き込み、リニア/インターリーブの4ビートバーストに対応。3.3 Vコアと2.5 V/3.3 V VDDQ I/O、3つのチップイネーブル、ZZスリープ(データ保持)でネットワーク/通信やキャッシュ用途に適します。

特長

  • NoBL構成でデッドサイクル無
  • 最大133 MHz、ウェイト0
  • 133 MHzでCLK-Q 6.5 ns
  • 毎クロックでデータ転送
  • バースト: リニア/交互
  • BWx+WEでバイト書込み
  • 同期入力はレジスタ経由
  • セルフタイムド同期書込み
  • 非同期OEで出力制御
  • チップイネーブル3本
  • ZZスリープ;入出2tCYC
  • オンチップECCで軟エラー低減

利点

  • 読書き切替が途切れない
  • 133 MHzバスで高スループット
  • 厳しいタイミングに対応
  • サイクル毎の転送で予測容易
  • バーストでストリーム効率化
  • 全ワード不要でバイト更新
  • 同期タイミング設計を簡素化
  • 高速動作でも書込み安定
  • バスの3ステート制御が容易
  • バンク選択/拡張が簡単
  • スリープで待機電力を削減
  • 放射線環境でデータ保持向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ