Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY7C1361KVE33-133AXM

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CY7C1361KVE33-133AXM
CY7C1361KVE33-133AXM

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    9 MBit
  • ECC
    Y
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    Standard Sync, Flow-through
  • インターフェース
    Parallel
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    Synchronous SRAM with ECC
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度
    -55 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    3.14 V to 3.63 V
  • 周波数
    133 MHz
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 36
  • 認定
    Military
OPN
CY7C1361KVE33-133AXM
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TQFP-100 (51-85050)
包装サイズ 144
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TQFP-100 (51-85050)
包装サイズ 144
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Our synchronous SRAMs are volatile memories ideal to meet the processing power demands for defense processing systems and communication equipment. These memories meet automotive quality and are designed and built with ultimate performance and reliability in mind.

機能

  • 9 Mbit Density
  • 256K x 36 Organization
  • 6.5ns access speed
  • –55 °C to 125 °C mil-temp range
  • 100-pin TQFP Package

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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