CY62157EV30LL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62157EV30LL-45ZSXI

Industrial-grade 8192kBit MoBL™ SRAM with parallel interface. Wide operating temperature range of -40°C to 85°C, ensuring reliability in industrial settings
個.
在庫あり

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CY62157EV30LL-45ZSXI
CY62157EV30LL-45ZSXI
個.


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    8 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

OPN
CY62157EV30LL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり
CY62157EV30LL-45ZSXIは8-Mbit(512K×16)のCMOS SRAMで、2.2 V~3.6 V電源で45 nsアクセスに対応します。非選択時の自動パワーダウンと低スタンバイ電流(2 µA typ、8 µA max)、1 MHzで6 mA typの動作電流を備えます。44ピンPbフリーTSOP IIで-40°C~+85°C動作。CE/OE/WEとバイトイネーブルでメモリ拡張が容易です。

特長

  • 8 Mbit SRAM、512K×16
  • 512K×16/1M×8切替
  • 読出しtRC=45 ns
  • OE→有効tDOE=22 ns
  • VCC 2.20 V~3.60 V
  • 待機電流 typ 2 µA
  • 1 MHz動作 typ 6 mA
  • 非選択で自動パワーダウン
  • BHE/BLEでバイト書込
  • 非選択時出力はハイZ
  • データ保持VDR=1.5 V
  • I/O容量 最大10 pF

利点

  • 8 Mbitで基板スペース削減
  • 1M×8でバス整合が容易
  • 45 nsで高速CPUに対応
  • 22 ns OEで高速読出し
  • 2.2~3.6 Vで電源互換
  • 2 µA待機で電池寿命延長
  • 6 mA動作で消費電力低減
  • 自動PDでアイドル電力低減
  • バイト書込でRMW回避
  • ハイZでバス共有が簡単
  • 1.5 V保持でスリープ維持
  • 10 pFで信号品質を確保
ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ