CY62148G30-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62148G30-45ZSXI

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パッケージ

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CY62148G30-45ZSXI
CY62148G30-45ZSXI
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62148G30-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-32
パッケージ名 TSOP-II-32 (51-85095)
梱包サイズ 1170
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
CN
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-32
パッケージ名 TSOP-II-32 (51-85095)
梱包サイズ 1170
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
CN
ウェハ製造国
TW
CY62148G30-45ZSXIは4 Mbit（512K×8）のMoBL™ CMOS SRAMで、単一ビット訂正用のECCを内蔵します（自動ライトバック非対応）。2.2 V～3.6 V、–40°C～+85°Cで動作し、アクセス時間は45 nsです。スタンバイ電流は標準3.5 µA、最大8.7 µAで、VCC 1.0 Vのデータリテンションに対応します。TTL互換I/Oと32ピンTSOP IIパッケージでメモリ拡張が容易です。

特長

  • 4 MB SRAM（512K×8）
  • 45 ns/55 nsアクセス時間
  • ECC内蔵、1ビット訂正
  • CE/OE/WE独立制御
  • 非選択時I/OはHi-Z
  • 1.0 Vデータ保持モード
  • 保持電流最大13 µA
  • スタンバイ最大8.7 µA
  • VCC:1.65–2.2/3.6/5.5 V
  • 温度範囲−40°C〜+85°C
  • 入出力リーク±1 µA
  • OE→データ22/25 ns最大

利点

  • 8ビット4 MBバッファに最適
  • 高速アクセスで待ち時間低減
  • ECCでデータ保護を強化
  • 非同期IFで設計が容易
  • Hi-Zでバス共有が簡単
  • 1.0 Vバックアップで保持
  • 低ICCDRで保持時間延長
  • 低スタンバイで省電力
  • 複数VCCで電源選択が容易
  • −40°C〜+85°Cで動作
  • 低リークで消費電力抑制
  • 速いOEで読出し遅延低減

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ