CY62147EV30LL-45ZSXI
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62147EV30LL-45ZSXI

データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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CY62147EV30LL-45ZSXI
CY62147EV30LL-45ZSXI
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推奨
OPN
CY62147EV30LL-45ZSXI
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 1350
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
PH
ウェハ製造国
TW,US
個.
在庫あり
CY62147EV30LL-45ZSXIは4-Mbit（256K×16）のCMOS SRAMで、45 nsアクセスにより携帯機器や組込み機器の高速ランダムアクセス用メモリに適します。動作電圧2.2 V～3.6 V、動作温度-40°C～+85°C。非選択時は自動パワーダウンでスタンバイtyp 2.5 µA（max 7 µA）。1 MHz時のアクティブ電流typ 3.5 mAで、16ビットI/Oはバイトイネーブル（BLE/BHE）対応。Pb-free 44ピンTSOP II。

特長

  • 256K×16 SRAM構成
  • 45 ns読出し/書込み周期
  • 2.2 V～3.6 V単一電源
  • 1 MHz時3.5 mA(typ)
  • 待機2.5 µA(typ)
  • データ保持VCC 1.5 V
  • データ保持最大8.8 µA
  • 非選択時自動パワーダウン
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • OE制御の3ステート出力
  • 入出力リーク±1 µA
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)

利点

  • 16ビットSRAMでバッファ最適
  • 45 nsでCPU高速アクセス
  • 2.2～3.6 Vで3 V系に適合
  • 低動作電流で消費電力低減
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 1.5 Vバックアップで保持
  • 低ICCDRで保持電源が容易
  • アイドル時自動省電力
  • バイト書込みでバス負荷低減
  • 3ステートでバス共有が容易
  • 低リークで低消費設計向き
  • 高ESDで堅牢性が向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ