CY62147EV30LL-45B2XIT
Active and preferred
RoHS対応

CY62147EV30LL-45B2XIT

データシート
パッケージ

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CY62147EV30LL-45B2XIT
CY62147EV30LL-45B2XIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62147EV30LL-45B2XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (51-85150)
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62147EV30LL-45B2XITは電池駆動の組込み機器向けMoBLファミリの4-Mbit（256K × 16）高性能CMOS SRAMです。2.2 V～3.6 V、-40°C～+85°Cで動作し、45 nsアクセスに対応。自動CEパワーダウンでスタンバイ電流は2.5 µA typ（7 µA max）、1 MHz時のアクティブ電流は3.5 mA typ。BHE/BLEのバイトイネーブルに対応し、Pb-free 48ボールVFBGAでB2デュアルチップイネーブル。

特長

  • 256K×16 SRAM構成
  • 45 ns読出し/書込み周期
  • 2.2 V～3.6 V単一電源
  • 1 MHz時3.5 mA(typ)
  • 待機2.5 µA(typ)
  • データ保持VCC 1.5 V
  • データ保持最大8.8 µA
  • 非選択時自動パワーダウン
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • OE制御の3ステート出力
  • 入出力リーク±1 µA
  • >2001 V ESD(MIL-STD-883)

利点

  • 16ビットSRAMでバッファ最適
  • 45 nsでCPU高速アクセス
  • 2.2～3.6 Vで3 V系に適合
  • 低動作電流で消費電力低減
  • µA待機で電池寿命を延長
  • 1.5 Vバックアップで保持
  • 低ICCDRで保持電源が容易
  • アイドル時自動省電力
  • バイト書込みでバス負荷低減
  • 3ステートでバス共有が容易
  • 低リークで低消費設計向き
  • 高ESDで堅牢性が向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ