CY62146G30-45ZSXA
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62146G30-45ZSXA

パッケージ

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CY62146G30-45ZSXA
CY62146G30-45ZSXA

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns
推奨
OPN
CY62146G30-45ZSXA
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 270
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
梱包サイズ 270
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62146G30-45ZSXAは4-Mbit（256K×16）の非同期SRAMで、単一ビット訂正用ECCを内蔵し、AEC-Q100 Automotive-A（-40°C～+85°C）に適合します。45 nsアクセスに対応し、電源は2.2 V～3.6 Vです。CE/OE/WEとBLE/BHEで上位/下位バイト書き込み、未選択時はHI-Z出力となり、1.0 Vデータ保持と典型3.5 µAスタンバイを備えます。

特長

  • 4 Mbit SRAM、256K×16
  • 内蔵ECCで1ビット訂正
  • 読出しサイクル45 ns(tRC)
  • アドレス-データ45 ns
  • OE Low-データ22 ns
  • 書込みサイクル45 ns(tWC)
  • WEパルス幅35 ns(tPWE)
  • スタンバイ電流typ 3.5 µA
  • fMAX時ICC typ 15 mA
  • 1.0 Vでデータ保持(VDR)
  • 保持電流13 µA max
  • I/Oリーク±1 µA max

利点

  • ECCでデータ完全性を向上
  • 16ビットでスループット向上
  • 45 nsサイクルで高速読出し
  • 22 ns OEで読出し遅延低減
  • 45 nsで高速書込み更新
  • 3.5 µAで待機電力を低減
  • 1.0 Vでバックアップ保持
  • 保持電流低く省エネ
  • 低リークで電力損失低減
  • ビット誤り訂正で信頼性
  • 非同期SRAMで実装が容易
  • Hi-Zでバス共有が容易

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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