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鉛フリー

CY15E004J-SXA

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CY15E004J-SXA
CY15E004J-SXA
代替品
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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 kBit
  • インターフェース
    I2C
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 動作電圧 (範囲)
    4.5 V ～ 5.5 V
  • 周波数
    1 MHz
  • 組織 (X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 認定
    Automotive(A)
  • 速度
    0 ns
OPN
CY15E004J-SXA
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2910
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
代替品
CY15E004J-SXAは4 Kbit自動車グレードの強誘電体RAM（F-RAM）で、高耐久性の非揮発性メモリを採用。最大100兆回の読み書きと151年のデータ保持が可能です。動作電圧は4.5 V～5.5 V、温度範囲は–40°C～+85°C、高速I2Cインターフェース（最大1 MHz）、低消費電力。SOIC-8パッケージとRoHS対応で自動車や産業用途への組み込みが容易です。EEPROMより優れた書き込み速度と耐久性を備えています。

特長

  • 4-Kbit F-RAM、512 x 8構成
  • 100兆回の読書き耐久
  • 65°Cで151年データ保持
  • I2Cインターフェース最大1 MHz
  • NoDelay™即時書き込み
  • 100 μA最大動作電流@100 kHz
  • 4 μA標準、10 μA最大待機電流
  • VDD範囲4.5 V～5.5 V
  • –40°C～+85°C動作温度
  • WPピンによる書き込み保護
  • シュミットトリガー入力
  • I2C EEPROMと互換

利点

  • 頻繁な信頼性データ記録可能
  • 書き込み遅延ゼロで高速化
  • データ長期間保持
  • 動作時の消費電力低減
  • 待機時の電力消費最小
  • 過酷環境でも安定動作
  • 書き込み保護でデータ安全
  • ノイズ耐性で通信安定
  • EEPROMから簡単置換
  • 書き込み後の待機不要
  • 旧式・高速I2C両対応
  • システムの複雑さ低減

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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