Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

CY15B256Q-SXET

データシート
パッケージ

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CY15B256Q-SXET
CY15B256Q-SXET
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    256 kBit
  • インターフェース
    SPI
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 125 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    33 MHz
  • 組織 (X x Y)
    32K x 8
  • 認定
    Automotive(E)
推奨
OPN
CY15B256Q-SXET
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (51-85066)
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY15B256Q-SXETは256 Kbit（32K × 8）車載グレードのシリアルF-RAMで、10^13回の読み書き耐久性と85°Cで121年のデータ保持を実現します。2.7 V～3.6 V動作、最大33 MHzのSPI対応、AEC-Q100 Grade 1（–40°C～+125°C）準拠。NoDelay™書き込み、5 mA動作電流、500 μAスタンバイ、12 μAスリープ、ハード/ソフト書き込み保護搭載。8ピンSOICパッケージで、自動車や産業の頻繁な書き込み用途に最適です。

特長

  • 256-Kbit不揮発性F-RAMメモリ
  • 10^13回の読書/書込耐久性
  • 85°Cで121年データ保持
  • NoDelay™バス即時書込
  • 最大33 MHz SPIインターフェース
  • SPIモード0/3対応
  • ハード/ソフト書込保護
  • 1/4、1/2、全域ブロック保護
  • メーカー/製品ID搭載
  • 5 mA動作、500 μA待機、12 μAスリープ
  • VDD範囲2.7 V～3.6 V
  • 動作温度–40°C～+125°C

利点

  • 10^13回でも信頼のデータ
  • 121年保持でデータ消失防止
  • 即時書込で待ち時間ゼロ
  • 33 MHz SPIで高速アクセス
  • フラッシュ/EEPROM置換可
  • 柔軟なSPIモード互換
  • 書込保護で安全性向上
  • ブロック保護で重要データ守る
  • デバイスIDで管理容易
  • 低消費電力で長寿命
  • 広い電圧対応で設計自在
  • 過酷環境下でも安定動作

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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