CY15B102Q-SXM
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY15B102Q-SXM

Highly reliable, low-power data logging memory with virtually unlimited endurance
データシート
パッケージ

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CY15B102Q-SXM
CY15B102Q-SXM
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Frequency
    25 MHz
  • インターフェース
    SPI
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    F-RAM
  • メモリ容量
    2 MBit
  • リードボール仕上げ
    Pb-free
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256K x 8
  • 認定
    Military

推奨
OPN
CY15B102Q-SXM
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 470
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SOIC-8 (001-85261)
梱包サイズ 470
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
F-RAM (Ferroelectric Random Access Memory or FeRAM) is a standalone non-volatile memory that enables you to instantly capture and preserve critical data when power is interrupted. They are ideal for mission-critical data logging applications like flight control error logging or life-enhancing patient monitoring devices. Designed in a low-power, small footprint, F-RAMs offer instant non-volatility and virtually unlimited endurance without compromising on speed or energy efficiency.

特長

  • 2 Mbit (256K x 8) density
  • SPI interface @ 25 MHz frequency
  • Infineon’s instant write technology
  • Infinite Read/Write endurance
  • 120-year data retention
  • -55°C to 125°C
  • 8-pin SOIC

利点

  • Ultra-low power
  • consume 200x less energy than EEPROMs
  • 3000x less than NOR flash
  • Performs write operations at bus speed
  • No write delays are incurred
  • Immune to external magnetic fields

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ