CY14B116M-BZ45XIT

データシート

パッケージ

CY14B116M-BZ45XIT

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2031
Density

16 MBit
アラーム

Y
インターフェース

Parallel
ウォッチドッグタイマー

Y
ピークリフロー温度

260 °C
リアルタイムクロック

Y
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
動作温度範囲

-40 °C～85 °C
動作電圧 (VCCQ) (最大)

3.6 V
動作電圧範囲

2.7 V～3.6 V
組織 (X x Y)

1Mb x 16
認定

Industrial
速度

45 ns

	推奨
OPN	CY14B116M-BZ45XIT
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	1000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-165
パッケージ名	FBGA-165 (51-85195)
梱包サイズ	1000
梱包形態	TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

CY14B116M-BZ45XITは、リアルタイムクロックを内蔵した16MビットのnvSRAM (1024K×16) で、SRAMの速度と不揮発性QuantumTrapストレージを組み合わせたものです。電源オフ時のAutoStore (外部19.8～82.0 µF VCAP) 、さらにハードウェアまたはソフトウェアによるSTORE/RECALLをサポートします。動作電圧範囲は2.7 V～3.6 V、動作温度範囲は-40℃～+85℃、STOREサイクル数は100万回、データ保持期間は20年、アクセス時間は45 ns、165ボールFBGAテープアンドリール。

特長

16 MビットnvSRAM (SRAM + NV)
2048K×8または1024K×16アレイ
25 ns / 45 nsアクセスオプション
電源断時のAutoStore
ソフトウェアまたはHSBピンによるSTORE
電源投入時またはソフトウェアによるRECALL
STOREサイクル: 100万回
データ保持期間: 20年
VCC電源: 2.7 V～3.6 V
RTC動作中のスリープモード
スリープモード電流: 最大10 μA
RTCアラーム、WDT、方形波出力

利点

NVデータ安全性を備えたSRAM高速性
x8またはx16レガシーバス対応
25 ns/45 nsによる待機状態削減
自動保存によるデータ損失防止
イベント時オンデマンドSTORE
電源投入後の高速復元
データロギングに対応するSTORE耐久性
長期データ保持によるメンテナンス削減
2.7～3.6 V単一電源による設計容易化
スリープモードによるシステム消費電力低減
10 µAスリープによるバッテリー寿命延長
RTCブロックによる外部IC削減

アプリケーション

エッジサーバーソリューション

デザインリソース

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CY14B116M-BZ45XIT

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製品仕様情報

特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

パートナーソリューション

開発者コミュニティ

CY14B116M-BZ45XIT

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