CY14B104M-ZSP25XIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY14B104M-ZSP25XIT

データシート
パッケージ

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CY14B104M-ZSP25XIT
CY14B104M-ZSP25XIT
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • メモリ容量
    4 MBit
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    256Kb x 16
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns

推奨
OPN
CY14B104M-ZSP25XIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-54
パッケージ名 TSOP-II-54 (51-85160)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
長期供給予定期限 2033
発売開始日 03/2022
組立国
TW
ウェハ製造国
US
CY14B104M-ZSP25XITは、リアルタイムクロックを内蔵した4MビットのnvSRAMで、54ピンTSOP IIパッケージに256K×16の構成で収められています。2.7 V～3.6 Vの電源電圧で動作し、-40℃～+85℃の温度範囲で動作し、25 nsのSRAMアクセスを実現します。QuantumTrapの不揮発性セルは、VCAPコンデンサーを使用して電源オフ時にAutoStore機能、電源オン時にRECALL機能を実現し、100万回のSTOREサイクルと、イベントログ記録およびパラメーター保存のための20年間のデータ保持に対応しています。

特長

  • 4MビットnvSRAM + RTC
  • 512 K x 8 または 256 K x 16 バス
  • 3.0 V 動作 (2.7 V ～ 3.6 V)
  • VCAP を介したパワーダウン時の自動保存 (AutoStore)
  • ソフトウェアまたはHSBピンで保存
  • ソフトウェアまたは電源投入による呼び出し
  • 不揮発性STOREサイクル: 100万回
  • 20 年間のデータ保持
  • 25 ns / 45 ns SRAM サイクルタイム
  • ウォッチドッグタイマーと時計アラーム
  • RTCバックアップ：バッテリーまたはコンデンサ
  • RTC バックアップ電流 最大 0.5 μA

利点

  • 時間とデータを1つのICに保持
  • 8ビットまたは16ビットのバス設計に対応
  • 標準的な3 Vレールに対応
  • 停電時にデータを自動的に保存します
  • SWまたはPIN用の柔軟な保存トリガー
  • 電源復旧後の高速復元
  • 頻繁な保存操作に対応
  • 重要なデータを20年間保存
  • 25 nsで高速SRAMアクセスが可能
  • アラーム/ウォッチドッグによるMCU負荷低減
  • 主電源オフ時のRTC維持
  • µAバックアップによるバッテリー寿命延長

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ