Active and preferred
RoHS準拠

CY14B104LA-ZS25XI

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14B104LA-ZS25XI
CY14B104LA-ZS25XI
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    4 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リードボール仕上げ
    Ni/Pd/Au
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推奨
OPN
CY14B104LA-ZS25XI
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSOP-44
パッケージ名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装サイズ 270
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
CY14B104LA-ZS25XIはQuantumTrap不揮発素子を内蔵した4-Mbit nvSRAM（512K×8）で、SRAM高速の読み書きと不揮発バックアップを両立します。2.7 V～3.6 V、-40°C～85°Cで動作し、25 nsアクセスに対応。68 µF（61～180 µF）のVCAPコンデンサで電源断時に自動STORE、電源投入時に自動RECALLし、STORE/RECALLはソフトウェアまたはピンでも開始可能で、データ保持20年です。

特長

  • 4 Mbit nvSRAM、SRAM IF
  • 電源断で自動STORE
  • 電源投入/ソフトでRECALL
  • ソフト/ピンでSTORE開始
  • QuantumTrap不揮発セル
  • 単一電源2.7 V～3.6 V
  • 動作温度-40°C～+85°C
  • データ保持20年
  • 不揮発STORE 1,000 K回
  • VCAP外付け61～180 µF
  • 低電圧トリガ2.65 V
  • tSTORE最大8 ms

利点

  • SRAM並みの即時アクセス
  • 停電保存にFW不要
  • 復電後すぐデータ復帰
  • 保存制御の選択肢が多い
  • EEPROMより高信頼NVM
  • 3 V電源レールに適合
  • 厳しい温度でも安定動作
  • 設定を長期保持できる
  • 頻繁な保存に耐える
  • 小容量Cで電池レス保存
  • ブラウンアウト挙動が明確
  • STORE短く停止時間を抑制

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }