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RoHS準拠
鉛フリー

CY14B064PA-SFXIT

データシート
パッケージ
EA.
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CY14B064PA-SFXIT
CY14B064PA-SFXIT
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Density
    64 kBit
  • アラーム
    Y
  • インターフェース
    SPI
  • ウォッチドッグ タイマー
    Y
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • リアルタイムクロック
    Y
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) (最大)
    3.6 V
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 周波数
    40 MHz
  • 組織 (X x Y)
    8Kb x 8
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    0 ns
推奨
OPN
CY14B064PA-SFXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (51-85022)
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
CY14B064PA-SFXITは、リアルタイムクロックを内蔵した64 Kビット (8K×8) のSPI nvSRAMで、SRAMとQuantumTrap技術を採用した不揮発性ストレージを組み合わせたものです。電源オフ時のAutoStoreと電源オン時のRECALLに加え、ソフトウェアまたはHSBによるSTORE/RECALLにも対応しています。このメモリは、読み書きが無制限で、STOREサイクルは100万回です。16ピンSOICパッケージで40 MHz動作、動作電圧 2.7 V～3.6 V、動作温度範囲 -40℃～85℃、消費電流はアクティブ時3 mA、スタンバイ時250 µA、スリープ時最大8 µAです。

特長

  • 64 Kbit nvSRAM（8K×8）
  • 電源断でAutoStore（VCAP）
  • SPI/HSBピンでSTORE
  • 電源投入/SPIでRECALL
  • SRAM R/WとRECALL無制限
  • 不揮発STORE 1000K回
  • データ保持20年
  • SPIモード0/3対応
  • SPI最大104 MHz（FAST）
  • WP+1/4,1/2ブロック保護
  • ステータスWREN/WRDI
  • RTCアラーム/WD/SQW出力

利点

  • 突然の停電時にデータを保護
  • ゼロウェイト ステートSRAMによりトランザクションが高速化
  • 高い書き込み耐性
  • 長期保持によるサービスリスクの低減
  • 高速SPIにより読み取り時間を短縮
  • 標準SPIコントローラーに対応
  • VCAPで電源バックアップを容易に実現
  • ブロック保護により上書きを防止
  • WPピンで重要なデータの保護が可能
  • RTC内蔵により外付けICを削減
  • アラーム/INTにより時間指定のウェイクアップが可能
  • SQW出力により時間管理を簡素化

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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