Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BTS3410G

N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected by embedded protection functions.
データシート
パッケージ

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BTS3410G
BTS3410G
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2039
  • EAS/Avalanche Energy
    150 mJ
  • EAS (Energy capability)
    150 mJ
  • ID(lim) min
    5 A
  • ID
    1.3 A
  • IL(nom)
    1.3 A
  • IL (Short Circuit Current)
    5 A
  • Ptot max
    0.8 W
  • RDS (on) (@ Tj = 150°C) max
    480 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    190 mΩ
  • toff (Turn OFF time) max
    100 µs
  • ton (Turn ON time) max
    100 µs
  • VDS max
    42 V
  • チャネルあたりの公称負荷電流
    1.3 A
  • チャネル
    2
  • ファミリー
    Classic HITFET™ 12V
  • 保護戦略
    Auto-restart
  • 分類
    -
  • 制御インターフェース
    Discrete
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 推奨動作電圧 max
    42 V
  • 診断
    -
  • 負荷電流
    1.3 A
推奨
OPN
BTS3410GXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • Logic Level Input
  • Input Protection (ESD)
  • Thermal shutdown with auto restart
  • Green product (RoHS compliant)
  • Overload protection
  • Short circuit protection
  • Overvoltage protection
  • Current limitation
  • Analog driving possible

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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