Active and preferred
RoHS準拠

BTS3256D

The BTS 3256D is a single channel low-side power switch in PG-TO-252-5-11 package providing embedded protective functions
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BTS3256D
BTS3256D
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • EAS/Avalanche Energy
    300 mJ
  • EAS (Energy capability)
    300 mJ
  • ID(lim) min
    42 A
  • ID
    7.5 A
  • IL(nom)
    8.7 A
  • IL (Short Circuit Current)
    42 A
  • ISC max
    30 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    10 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 150°C) max
    20 mΩ
  • toff (Turn OFF time) max
    24 µs
  • ton (Turn ON time) max
    22 µs
  • VDS max
    40 V
  • チャネルあたりの公称負荷電流
    8.7 A
  • チャネル
    1
  • ファミリー
    Classic HITFET™ 12V
  • 保護戦略
    Auto-restart
  • 分類
    -
  • 制御インターフェース
    Discrete
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 推奨動作電圧 max
    40 V
  • 特長
    ADJUSTABLE SLEWRATE, SWITCHING UP TO 12KHZ
  • 診断機能
    Output Status
  • 診断
    Digital
  • 負荷電流
    8.7 A
推奨
OPN
BTS3256DAUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-5
パッケージ名 N/A
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-5
パッケージ名 -
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
This HITFET™ is designed for automotive and industrial applications with outstanding protection and control features. The power transistor is a N-channel vertical power MOSFET. The device is controlled by a chip in Smart Power Technology.

機能

  • Slew rate control
  • Max. switching frequency 12kHz
  • Clear detection of digital fault signal
  • overcurrent & -temperature protection
  • Auto-restart strategy
  • 3.3V and 5V compatible logic input
  • Electrostatic discharge protection (ESD)
  • Very low leakage current
  • Green Product (RoHS compliant)
  • AEC Qualified

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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