BSZ017NE2LS5I
新規設計非推奨
RoHS対応

BSZ017NE2LS5I

データシート
パッケージ

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BSZ017NE2LS5I
BSZ017NE2LS5I
データシート


製品仕様情報

  • Ciss
    1500 pF
  • Coss
    750 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    134 A
  • IDpuls (最大)
    536 A
  • Ptot (最大)
    50 W
  • QG (typ @4.5V)
    10.5 nC
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    2.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    2.3 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.7 mΩ
  • RthJA (最大)
    60 K/W
  • RthJC (最大)
    2.5 K/W
  • Rth
    2.5 K/W
  • Special Features
    Logic Level, Monolithically Integrated Schottky-like Diode
  • VDS (最大)
    25 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.38
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
BSZ017NE2LS5IATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
AT

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 PQFN 3x3
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
AT
With the OptiMOS™ 5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation.

特長

  • Best-in-class on-state resistance
  • Benchmark switching performance
  • RoHS compliant and halogen free
  • Optimized EMI behavior

利点

  • Highest efficiency
  • Highest power density with PQFN 3.3x3.3
  • Reduction of overall system costs
  • Operation at high-switching frequency
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ