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BSO612CV G
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BSO612CV G

生産終了

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製品仕様情報

  • Ciss
    275 pF, 320 pF
  • Coss
    105 pF, 90 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    3 A, -2 A
  • ID (最大)
    -2 A, 3 A
  • IDpuls (最大)
    -8 A, 12 A
  • Ptot (最大)
    2 W
  • QG (typ @10V)
    10.3 nC, 10.5 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    120 mΩ, 300 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • VDS (最大)
    -60 V, 60 V
  • VGS(th) 範囲
    -2.1 V~-4 V, 2.1 V~4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    SO-8
  • ピン数
    8 Pins
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.34
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N+P
OPN
BSO612CVGXUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Complementary power MOSFETs - an n-channel and a p-channel power MOSFET within the same package - are part of Infineon’s famous low voltage OptiMOS™ families, the market leader in high efficiency solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

特長

  • Complementary p- + n-channel
  • Enhancement mode
  • Avalanche rated
  • Qualified according to AEC Q101
  • 100% lead-free;
  • RoHS compliant

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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