BSD223P
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

BSD223P

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -20V, SOT-363
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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BSD223P
BSD223P
個.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    45 pF
  • Coss
    21 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    0.39 A
  • IDpuls (最大)
    -1.56 A
  • Ptot (最大)
    0.25 W
  • QG
    -0.5 nC
  • RDS (on) (@2.5V) (最大)
    2100 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1200 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) (最大)
    1200 mΩ
  • Rth
    500 K/W
  • VDS (最大)
    -20 V
  • VGS(th) (最小)
    -0.6 V
  • VGS(th)
    -0.9 V
  • VGS(th) (最大)
    -1.2 V
  • パッケージ
    SOT-363
  • ピン数
    6 Pins
  • モード
    Enhancement
  • 予算価格€/ 1k
    0.05
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    P+P
  • 特別な機能
    Dual
推奨
OPN
BSD223PH6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-SOT363-6
パッケージ名 SOT-363
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-SOT363-6
パッケージ名 SOT-363
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

特長

  • Enhancement mode
  • Super logic level
  • Avalanche rated
  • Fast switching
  • dv/dt rated
Pb-free lead-plating
  • RoHS compliant, Halogen-free
  • Quflified according to AEC Q101

利点

  • Low RDS(on) for high efficency
  • Small packages save PCB space
  • Best-in-class quality and reliability

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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