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BSC152N15LS5

The CoolSiC™ Automotive MOSFET 750 V G1 is a highly robust SiC MOSFET for the best combination of system performance and reliability
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EA.
在庫あり

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BSC152N15LS5
BSC152N15LS5
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データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    55 A
  • QG (typ @4.5V)
    12.2 nC
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    20 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    15.2 mΩ
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Budgetary Price €/1k
    0.61
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
推奨
OPN
BSC152N15LS5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The OptiMOS™ 5 Logic-Level power MOSFET 150 V family offers the same excellent performance of the OptiMOS™ 5 150 V products with the capability to operate with VGS = 4.5 V. The BSC152N15LS5 features very low RDS(on) of 15.2/20 mOhm (VGS = 10 V/4.5 V) and very low Qg of 12.2 nC (VGS = 4.5 V) in a industry standard SuperSO8 package, enabling optimal thermal management for small in lightweight USB-PD EPR charger and adapter applications.

機能

  • Competitive RDS(on) level
  • Very low switching losses
  • Fully optimized for VGS = 4.5 V
  • Tailored to SR that provide 5 V

利点

  • Highly efficient designs
  • Lower temperature when VGS < 10V
  • Improved thermal management
  • Less system complexity

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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