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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠

BSC080N12LS G

生産終了
120V OptiMOS™ 3 power MOSFETs in logic level provide low RDS(on) in a small package
データシート
パッケージ
代替品

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BSC080N12LS G
BSC080N12LS G
代替品
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    99 A
  • IDpuls max
    394 A
  • Ptot max
    156 W
  • QG (typ @10V)
    79 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    8 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    9.5 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    1.85 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6
  • 予算価格€/ 1k
    1.07
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
OPN
BSC080N12LSGATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 SuperSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ 3 power MOSFETs in logic level are highly suitable for charging , adapter and telecom applications. The devices' low gate charge reduces switching losses without compromising conduction losses. Logic level MOSFETs allow operations at high switching frequencies and due to a low gate threshold voltage can be driven directly from microcontrollers.

機能

  • Low RDS(on) in small package
  • Low gate charge
  • Lower output charge
  • Logic level compatibility

利点

  • Higher power density designs
  • Higher switching frequency
  • Reduced part count with 5V supplies
  • Driven directly from microcontrollers
System cost reduction

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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