新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

BGSA11GN10

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BGSA11GN10
BGSA11GN10
EA.
データシート

Product details

  • COFF
    250 fF
  • RON
    1 Ω
  • VRFmax
    36 V
  • サイズ
    1.1 x 1.5 mm²
  • スイッチ タイプ
    2xSPST
  • ハロゲンフリー
    yes
  • 制御インターフェース
    GPIO
  • 周波数範囲
    0.1 - 6.0 GHz
OPN
BGSA11GN10E6327XTSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TSNP-10-1
パッケージ名 N/A
包装サイズ 7500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
TSNP-10-1
パッケージ名 -
包装サイズ 7500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BGSA11GN10 is a Dual Single Pole Single Throw (SPST) RF antenna tuning switch optimized for low RON enabling applications up to 6.0 GHz. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, single-pin CMOS or TTL compatible control input signal. Unlike GaAs technology, the 0.1 dB compression point exceeds the switch maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels and external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally. Due to its very high RF voltage ruggedness it is suited for switching any reactive devices such as inductors and capacitors in RF matching circuits without significant losses in quality factors.

機能

  • High-linearity Dual SPST for antenna tuning switching applications
  • Ultra-Low RON  of 0.79 Ω  in ON state for each SPST, 0.38 Ω using both SPST in parallel
  • Ultra-Low COFF of 250 fF in OFF state
  • High max RF voltage OFF state handling: 36 V peak (72 Vp-p)
  • Low harmonic generation
  • No power supply blocking required
  • Supply voltage: 1.65 to 3.6 V
  • Control voltage: 1.35 to 3.3 V (control high)
  • Suitable for EDGE / C2K / LTE / WCDMA Applications
  • 0.1 to 6.0 GHz coverage
  • Small form factor 1.1 mm x 1.5 mm
  • 400 µm pad pitch
  • RoHS and WEEE compliant package

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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