新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

BFS483

EA.
在庫あり

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Product details

  • fT
    8 GHz
  • Gmax
    19 dB @900 MHz
  • IC max
    65 mA
  • NFmin
    0.90 dB @900 MHz
  • OIP3
    26.5 dBm
  • OP1dB
    9 dBm
  • Ptot
    450 mW
  • VCEO max
    12 V
  • パッケージ
    SOT363
OPN
BFS483H6327XTSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOT-363
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 SOT-363
包装サイズ 3000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
NPN Silicon RF Transistor for low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA

機能

  • For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA
  • fT = 8 GHz, F = 0.9 dB at 900 MHz
  • Two (galvanic) internal isolated Transistor in one package
  • For orientation in reel see package information in datasheet
  • Pb-free (RoHS compliant) package

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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