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BFP650F
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BFP650F

生産終了

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製品仕様情報

  • Gmax
    21.50 dB @1800 MHz
  • IC (最大)
    150 mA
  • NFmin
    0.80 dB @1800 MHz
  • OIP3
    31 dBm @1800 MHz
  • OP1dB
    17.50 dBm @1800 MHz
  • VCEO (最大)
    4 V
  • パッケージ
    TSFP-4
OPN
BFP650FH6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
NPN Silicon Germanium RF Transistor

特長

  • For medium power amplifiers and driver stages
  • High OIP3 and P-1dB
  • Ideal for low phase noise oscilators
  • Maxim. available Gain Gma = 21.5 dB at 1.8 GHz
  • Noise figure F = 0.8 dB at 1.8 GHz
  • 70 GHz fT- Silicon Germanium technology
  • Pb-free (RoHS compliant) package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ