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RoHS準拠

BDP1CG15NB-01

データシート
パッケージ

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BDP1CG15NB-01
BDP1CG15NB-01
データシート

製品仕様情報

  • TID (最大)
    30 Krad(Si)
  • VBS UVLO (On)
    8 V
  • VBS UVLO (Off)
    7 V
  • コンフィギュレーション
    Low-side
  • スイッチ タイプ
    MOSFET (SJ, NL)
  • チャネル
    1
  • 出力電流 (Source)
    4 A
  • 出力電流 (Sink)
    8 A
  • 絶縁
    non-isolated
  • 認定
    JEDEC
  • 電圧クラス
    20 V
  • 電源電圧 (範囲)
    8 V ～ 20 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
シングルチャネルのローサイド耐放射線ゲートドライバIC

特長

  • 8 Aのシンク駆動能力
  • 伝搬遅延: 20 ns
  • UVLOオン/オフ: 8 V / 7 V
  • SEE耐性: LET = 45 MeVcm2/mgまで
  • TID耐性: 30 kRad (Si) まで
  • JEDEC認定

利点

  • 高速スイッチング
  • 低インピーダンス
  • 出力フルスイング
  • 高電流駆動能力

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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