BAT17-04W
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

BAT17-04W

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在庫あり

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BAT17-04W
BAT17-04W
個.

製品仕様情報

  • C @VR=0V
    0.61 pF
  • IF (最大)
    130 mA
  • VF (最大)
    0.45 V
  • VF
    0.34 V
  • VR (最大)
    4 V
  • コンフィギュレーション
    Series pair
OPN
BAT1704WH6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOT-323
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 SOT-323
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
These Infineon RF Schottky diodes are silicon low barrier N-type devices with an integrated guard ring on-chip for overvoltage protection. Their low barrier height, small forward voltage and low junction capacitance, make BAT17-04W a suitable choice for mixer and detector applications at frequencies as high as 6 GHz.

特長

  • Low inductance Ls = 1.4 nH (typical)
  • Low capacitance C = 0.61 pF (typical) at frequency f = 1 MHz
  • Industry standard SOT323-3 package (2.1 mm x 2 mm x 0.9 mm)
  • Pb-free, RoHS compliant and halogen free

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ