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BAR81W
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

BAR81W

生産終了
データシート
パッケージ

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BAR81W
BAR81W
データシート

製品仕様情報

  • C @VR=0V
    0.61 pF
  • IF (最大)
    100 mA
  • RF
    0.58 Ω
  • trr
    80 ns
  • VR (最大)
    30 V
  • コンフィギュレーション
    Single shunt diode
OPN
BAR81WH6327XTSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT343
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
SOT343
パッケージ名 -
梱包サイズ 3000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
This Infineon cost optimized RF PIN diode is designed for high performance switches. Its shunt configuration results in reduces parasitic inductance and is mostly suited for high-speed switching applications.

特長

  • Optimized for short - open transformation using λ/4 transmission lines
  • Reduced impact of parasitic inductance due to design
  • High shunt signal isolation ISO = 27 dB (typical) at forward current IF = 1 mA and frequency f = 1 GHz
  • Low shunt insertion loss IL = 0.17 dB (typical) at voltage VR = 0 V and frequency f = 1 GHz
  • Charge carrier lifetime τ = 80 ns (typical)
  • Industry standard SOT343 package (2.0 mm xm 2.1 mm x 0.9 mm)
  • Pb-free, RoHS compliant and halogen-free

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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