AIMC75R007D31M2P
新規
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

AIMC75R007D31M2P

新規
Unleashing the Power of Infineon's Cutting-Edge SiC Trench Technology

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AIMC75R007D31M2P
AIMC75R007D31M2P


製品仕様情報

  • Layout
    corner gate
  • Metallization (Frontside)
    Sinter
  • Metallization (Backside)
    Sinter
  • ダイサイズ
    25 mm²
  • 電圧クラス (最大)
    750 V
  • 電圧クラス
    750 V

推奨
OPN
AIMC75R007D31M2PX7SA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
ウェハ製造国
AT,MY

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
ウェハ製造国
AT,MY
Our latest automotive Gen2pE devices offer voltage classes of 750 V and 1200 V, delivering unprecedented performance for main inverter applications in high-performance vehicles. With the ability to design and manufacture custom power modules tailored to specific application requirements, our SiC solutions are set to transform the automotive landscape, elevating performance, efficiency, and reliability to new heights.

特長

  • High efficiency and power density
  • State-of-the-art trench design
  • Various metal stack options
  • Superior gate-oxide reliability

利点

  • Ideal for automotive requirements
  • Available in 750 V class
  • Customized development (on demand)
  • Cost benefit due to module shrink

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ