Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

AIMBG120R040M1

CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V G1p in D2PAK-7 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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AIMBG120R040M1
AIMBG120R040M1
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    1264 pF
  • Coss
    63 pF
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) max
    54 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    268 W
  • QG
    43 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    40 mΩ
  • RthJC max
    0.56 K/W
  • VDS max
    1200 V
  • VGSS, off
    0
  • VGSS, on
    20
  • パッケージ
    TO-263-7
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 発売年
    2023
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AIMBG120R040M1XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC MOSFET features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

機能

  • Wide input voltage range 3.0 - 17 V
  • Fast COT with no ext compensation
  • Support FCCM & DEM
  • Pin programmable Vout, Fsw
  • PMBUS interface for reporting
  • 5 mm x 6 mm PQFN
  • Pb-free, ROHS2 compliant with ex. 7a

利点

  • Superior transient response
  • Accurate output voltage regulation
  • High efficiency and high power density
  • Fast constant on-time PWM engine

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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