AIMBG120R010M1
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

AIMBG120R010M1

CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V G1p in D2PAK-7 package
データシート
パッケージ

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AIMBG120R010M1
AIMBG120R010M1
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    5703 pF
  • Coss
    268 pF
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) (最大)
    205 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    882 W
  • QG
    178 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    8.7 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.17 K/W
  • VDS (最大)
    1200 V
  • VGSS, off
    0
  • VGSS, on
    20
  • パッケージ
    TO-263-7
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 発売年
    2023
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
AIMBG120R010M1XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 D2PAK 7-pin
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC MOSFET features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

特長

  • RDS (on) 3 mΩ typical
  • For 24 V and 48 V power nets
  • Load dump robustness up to 70 V
  • Compatible to cranking pulses
  • Integrated diagnostic functions
  • Integrated protection functions
  • Over-current protection
  • Over-load protection
  • Over-temperature protection
  • Over-power protection
  • Low stand-by current 7 µA
  • AEC-Q100 qualification

利点

  • Reliable power distribution
  • PRO-SIL™ ISO 26262-ready
  • Accurate current sensing
  • Supports long wires
  • Ideal for limited board space
  • Leadless power package

図

Promopage_AIMBG120Rxxx
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ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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